索力德普 超结MOSFET
相关结果约167397条世强硬创获索力德普授权代理,大功率IGBT模块实现10PCS+并联使用
索力德普产品广泛应用于电焊机、感应加热、光伏领域、光伏逆变器、储能变流器、大功率变流器、电机/伺服驱动器、不间断电源、高频开关应用、风电变流器、新能源汽车等领域。
广告 发布时间 : 2025-01-06
【选型】LLC谐振电路中推荐超结MOSFET TPP60R160MFD,Trr仅112ns
LLC拓扑高效和高功率密度受到广大工程师的青睐,但是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却高于以往硬开关拓扑,MSOFET体二极管的反向恢复时间(TRR)尤为重要。本文推荐无锡紫光微电子的超结MOSFET,TPP60R160MFD为例,这是20A、600V的SJMOS,开关速度快,最大导通电阻190mR,TRR典型值仅为112ns。
HMS13N65D/Q 650V超结MOSFET
该资料介绍了650V Super-Junction MOSFET HMS13N65D/Q的产品特性、应用领域、订购信息和电气特性。该器件具有低RDS(on)、低栅极电荷、快速开关和优异的雪崩特性,适用于电信和电源供应。
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SemiHow授权世强硬创代理,超结MOSFET产品供货三星/华为/LG等企业
目前,SemiHow的超结MOSFET产品已在三星、LG、华为、飞利浦、中兴、MW、vivo等客户产品中成功应用。
超结MOS是什么?有什么作用!
超结MOS也叫COOlMOS,是在普通MOS基础上使用新型超结结构设计的MOS管。超结MOS管主要在500V、600V、650V及以上高电压场合使用。超结MOSFET与传统的VDMOS相比,具有导通电阻低、开关速度快、芯片体积小、发热低的特点。
瑶芯微基于G2.5平台推出超结MOSFET,相比上一代栅电荷下降20%,Coss减小了40%
瑶芯微基于G2.5平台推出两大电压等级、多个封装系列的SJ MOSFET。其中TOLL封装的多款产品已实现量产,其紧凑的体积、较低的封装电阻和寄生电感、优秀的散热性能、高电流承载能力,可提高开关速度、降低成本,并能提高系统效率和可靠性等方面,在各种消费级、工业级和车规级功率电子场景中得到广泛应用。
【选型】美浦森(Maplesemi)高压MOSFET/超结MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型指南
超结MOSFET(SJMOS) 高压MOSFET(VDMOS) 碳化硅二极管(SiC DIODE)
美浦森 - 超结MOSFET,干燥金属氧化物,碳化硅二极管,碳化硅金属氧化物半导体,SIC二极管,碳化硅MOSFET,高压MOSFET,SIC DIODE,SIC DIODE,SIC MOS,SJMOS,VDMOS,SLF8N60C,MSP08065V1,SLF11N50S,SLF740UZ,SIF8N60S,MSD02120G1,SLF32N20C,SLF10N70C,S4.F5NCOC,MSH080120M1,MSH180120M1,MSH16120G1,SLF8N60S,SLD80R1K3SJ,SIF12
【产品】强茂推出ITO-220AB-F、TO-252AA封装的超结MOSFET新品
强茂新推出第一代Super Junction MOSFET凭借能够提供简单高效的设计解决方案的特性,此次开发的新产品主要应用于PSU当中,广泛应用于消费性和工业控制的电源转换系统,如AC-DC或DC-DC转换器。
新洁能Gen.4超结MOSFET 500V产品系列,具有损耗低、可靠性高等性能优势
本次NCE新洁能重点介绍的是Gen.4超结MOSFET 500V产品系列。500V产品系列涵盖导通电阻从110mohm至2200mohm多个产品规格。500V电压平台还开发了具有快速恢复体二极管特性的F系列产品,该系列产品通过优化体二极管特性,减小反向恢复电荷和反向恢复时间,提升了体二极管反向恢复速度。在LLC等桥式电路中具有损耗低、可靠性高的性能优势。
亚成微电子(Reactor Microelectronics)高压超结MOSFET选型指南
亚成微电子 - 高压超结MOSFET,功率MOSFET,超结MOS,超结功率MOSFET,高压超结MOS,RMA65R1K0SN,RMG70R650SN,RME60R190SF,RMK70R280SN,RMK65R380SN,RME70R650SN,RMF60R090SF,RMA65R600BN,RMC65R1K0SN,RMC60R190SF,RMC70R1K0SN,RMG65R1K0SN,RMC70R,便携式通信设备,储能逆变,充电器,充电桩,基站,大家电,家电,家电电源,工业应用,工业控制,工业电源,快速充电器,无人机,无线通信,智能照明,服务器电源,汽车电子,消费电子,计算机电源,车载充电机,适配器,通信电源,通用照明,LED照明,LED电源,PD快充,TV电源
SKJ91N60-T7 600V N沟道超结MOSFET
本资料介绍了SKJ91N60-T7型号的600V N-Channel Super-Junction MOSFET的产品特性、应用领域和典型性能。该产品采用Super-Junction技术,具有低导通电阻、高效率、快速开关和超快体二极管等特点,适用于LED、LCD、PDP电视和显示器照明、太阳能、可再生能源、UPS微型逆变器系统、充电器和电源等领域。
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